جزئیات عملکرد و راندمان فناوری دو نانومتری GAA سامسونگ منتشر شد
شرکت سامسونگ جزئیات جدیدی درباره عملکرد و راندمان فناوری دو نانومتری GAA منتشر کرده که نشان‌دهنده پیشرفت‌های قابل توجه در زمینه تراشه‌های نیمه‌هادی است.
جزئیات فناوری دو نانومتری GAA سامسونگ
شرکت سامسونگ جزئیات جدیدی درباره فناوری دو نانومتری GAA منتشر کرده است که نشان‌دهنده پیشرفت‌های قابل توجه در زمینه تراشه‌های نیمه‌هادی می‌باشد. این فناوری که با نام Gate-All-Around شناخته می‌شود، نوید بهبود کارایی و کاهش مصرف انرژی در مقایسه با فناوری‌های قبلی را می‌دهد.
- بهبود عملکرد تراشه‌ها با فناوری GAA
- کاهش مصرف انرژی در فرآیند دو نانومتری
- پشتیبانی از گوشی‌های رده پایین سامسونگ از شبکه 5G
- پیشرفت در زمینه نیمه‌هادی‌های پیشرفته
“فناوری GAA تحول بزرگی در صنعت نیمه‌هادی ایجاد خواهد کرد”
این توسعه‌ها نشان می‌دهد که سامسونگ به دنبال حفظ رقابت در بازار تراشه‌های پیشرفته است.
تگها:
